GFEVT1000‑K‑51E 1000VDC Schnellwirkende DC-Sicherung 100‑630A | EssFuse
EssFuse GFEVT1000-K-51E ist eine flinke, quadratische Gleichstromsicherung (aAR) für 1000 V DC mit einem Nennstrom von 100 A bis 630 A und einem Abschaltvermögen von 50 kA. Sie ist mit oder ohne Auslöseanzeige erhältlich und eignet sich ideal für Energiespeichersysteme und den Schutz von Hochvoltbatterien. Die Sicherung ist nach UL248.13 und IEC60269.4 zugelassen.
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GFEVT1000‑K‑51E Serie Schnellwirkende Vierkant-Gleichstromsicherung, 100‑630A 1000VDC Größe 1#
Produktübersicht
EssFuse GFEVT1000‑K‑51E ist eine schnellwirkende Sicherung der Größe 1# mit quadratischem Gehäuse. Gleichstromsicherung der Klasse A, Ausgelegt für 1000 VDC. Optimiert für den Hochspannungs-Gleichstromschutz in erneuerbaren Energieanlagen. Zwei Ausführungen erhältlich: K = mit Blasanzeiger, KN = ohne Anzeiger. Bietet eine extrem kurze Ansprechzeit von ≤ 3 ms und ein maximales Abschaltvermögen von 50 kA bei 1000 VDC. Geeignet für Energiespeichersysteme, Hochvolt-Akkumulatoren und DC-Relais-Backup-Schutz. Entspricht UL 248.13 und IEC 60269-4 sowie RoHS-konform.
Hauptmerkmale und Vorteile
- ✅ Reines Gleichstromdesign, hervorragende Hochspannungs-Gleichstrom-Kurzschlussleistung
- ✅ Maximale Unterbrechungskapazität:50 kA bei 1000 VDC；Mindestausschaltstrom ≥3×In
- ✅ Ultraschnelle Reaktionszeit: Zeitkonstante ≤ 3 ms
- ✅ Zwei Varianten: K (mit Indikator) / KN (ohne Indikator)
- ✅ Geringe Leistungsverluste, kompakte Baugröße 1# mit hoher Strombelastbarkeit
- ✅ Hohe mechanische Stoß- und Vibrationsfestigkeit ≥20 g, breite Umgebungstemperaturtoleranz
- ✅ RoHS-konform; REACH-Erklärung auf Anfrage erhältlich.
- ✅ Bündiger Spezialkontakt für die Installation in Hochstrom-Schaltschränken
Typische Anwendungen
- Hochvolt-Lithium-Ionen-Akkumulatorschutz
- Haupt-Gleichstromkreisschutz des Energiespeichersystems (ESS)
- Backup-Schutz für DC-Relais / DC-Schütz
- Starkstrom-1000-VDC-Stromverteilung
Allgemeine elektrische Spezifikationen
| Artikel | Parameter |
|---|---|
| Nenn-Gleichspannung | 1000 VDC |
| Nennstrombereich | 100 A ~ 630 A |
| Sicherungsklasse | aAR (schnell wirkender Halbleiter-/Gleichstromschutz) |
| Maximale Abschaltleistung | 50 kA bei 1000 VDC |
| Mindestunterbrechungsstrom | ≥ 3 × In |
| Zeitkonstante | ≤ 3 ms |
| Mechanische Größe | Größe 1# Quadratischer Korpus |
| Kontaktart | bündiger, kundenspezifischer Kontakt |
| Produktvariante | K-Version (mit Indikator); KN-Version (ohne Indikator) |
| Normen und Zulassungen | UL 248.1 / UL 248.13; IEC 60269-1 / IEC 60269-4 |
| Einhaltung | RoHS; REACH-Dokument auf Anfrage |
| Lagertemperatur | -40 °C bis 120 °C |
| Normale Betriebsumgebungstemperatur. | -5 °C bis +40 °C (ohne Reduktion) |
| Zulässige Betriebstemperatur. | -40 °C bis +85 °C |
| Antivibrationsfähigkeit | ≥ 20 g |
| Montage | Vertikale / Horizontale / Schräge Installation |
Vollständige Modellbewertungstabelle
Hinweis: Suffix ersetzen K mit KN für Versionen ohne Sicherungsanzeige, z. B. GFEVT1000‑630KN‑51E
| Teilenummer | Nennstrom | Größe | Schmelzen von A²s bei 50 kA/1000 V DC | Clearing A²t @50kA/1000VDC | Leistungsverlust (W) bei 100 % Eingangsleistung |
|---|---|---|---|---|---|
| GFEVT1000‐100K‐51E | 100 A | 1# | 980 | 4,400 | 42 |
| GFEVT1000‑125K‑51E | 125 A | 1# | 1,180 | 5,300 | 46 |
| GFEVT1000‑160K‑51E | 160 A | 1# | 2,240 | 10,050 | 50 |
| GFEVT1000‐200K‐51E | 200A | 1# | 4,360 | 19,970 | 56 |
| GFEVT1000‑250K‑51E | 250 A | 1# | 9,320 | 40,870 | 62 |
| GFEVT1000‑315K‑51E | 315A | 1# | 17,900 | 79,060 | 68 |
| GFEVT1000‑350K‑51E | 350 A | 1# | 23,000 | 107,200 | 76 |
| GFEVT1000‐400K‐51E | 400 A | 1# | 35,100 | 154,100 | 86 |
| GFEVT1000‐450K‐51E | 450 A | 1# | 50,600 | 221,100 | 95 |
| GFEVT1000‐500K‐51E | 500 A | 1# | 83,500 | 288,100 | 102 |
| GFEVT1000‑550K‑51E | 550 A | 1# | 114,700 | 391,900 | 133 |
| GFEVT1000‑630K‑51E | 630A | 1# | 155,000 | 445,000 | 140 |
Anwendungshinweise & Hinweise zur Leistungsreduzierung
- Vorschlag für kontinuierlichen Strom: Langzeitbetriebsstrom ≤75 % des Nennstroms der Sicherung.
- Reduzierung der Leistung bei Umgebungstemperatur: Bei Betriebstemperaturen über 40 °C ist der Temperaturkorrekturfaktor Kt anzuwenden; bei Temperaturen unter -5 °C verlängert sich die Vorzündzeit geringfügig.
- Höhenbedingte Leistungsreduzierung (geschlossenes Gehäuse): Im Höhenbereich von 2000‐4500‐M ist der Nennstrom pro 1000‐Höhenanstieg um 2‐5‐M zu reduzieren.
- LeiterdimensionierungBeachten Sie die Tabelle mit den Kupferquerschnitten im Datenblatt; bei >1250 A ist eine Stromdichte von 1,0‐1,4 A/mm² anzuwenden.
- Toleranz der Zeit-Strom-Kennlinie: ±15 % Fehlerbandbreite; minimaler Abschaltstrom = 3 In.
Downloads & Ressourcen
- 2D-3D-Maßzeichnung, Zeit-Strom-Kennlinie, vollständiges Datenblatt als PDF herunterladen:GFEVT1000-K-51E_Serie._100-630A_1000Vdc_schnelle-Sicherung
- Hersteller: Dongguan Gongfu Electronics (EssFuse)
