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Worin besteht der Unterschied zwischen gG-, gR-, aM- und aR.gPV.gBat-Sicherungen?

EssFuse Halbleitersicherungen

Worin besteht der Unterschied zwischen gG-, gR-, aM-, aR-, gPV- und gBat-Sicherungen?

 
Sicherungsklassen (gG, gR, aM, aR, gPV, gBat) definieren Schutzziele, Geschwindigkeit, Bremsvermögen und Anwendungen. Sie entsprechen den Normen IEC 60269-4/-7. Die Wahl der richtigen Schutzklasse verhindert Durchbrennen, Brände und Geräteschäden.
 

1. gG-Sicherung (Allzweck, Vollbereich)

 
  • KlassegG (allgemein, gesamter Bereich)
  • GeschwindigkeitLangsam / Standard, nicht schnell
  • SchutzDrähte, Kabel, Motoren, Transformatoren, allgemeine Wechselstromkreise
  • ReichweiteÜberlastung + Kurzschluss (Vollbereich)
  • Aktuell: 2A–630A, 500V/690V Wechselstrom
  • VerwendenIndustriegroßhandel, Haushaltsgeräte, allgemeine Maschinen
  • I²tHoch (nicht für Halbleiter)
 

2. gR Sicherung (Halbleiter, Breitband)

 
  • Klasse: gR (Vollbereichshalbleiter)
  • GeschwindigkeitSchnell, schneller als gG
  • SchutzHalbleiter + Kabel (dual)
  • ReichweiteÜberlastung + Kurzschluss
  • Aktuell10 A–400 A, 690 V AC/DC
  • VerwendenAntriebe, Wechselrichter, allgemeine Leistungselektronik
  • I²tMittel-niedrig (besser für Halbautomaten)
 

3. AM-Sicherung (Motor, Teilbereich)

 
  • Klasse: aM (Motor, Teilbereich)
  • GeschwindigkeitLangsame, zeitverzögerte Einschaltverzögerung des Motors
  • Schutz: Nur Motorkurzschlüsse (keine Überlastung)
  • Reichweite: Nur Kurzschluss (Teilbereich)
  • Aktuell10 A–630 A, 690 V Wechselstrom
  • VerwendenMotoren, Pumpen, Ventilatoren, Kompressoren
  • I²tHoch (tolerant gegenüber Lastspitzen beim Start)
 

4. aAR-Sicherung (Halbleiter, ultraschnell, Teilbereich)

 
  • Klasse: aAR (Halbleiter, ultraschnell)
  • Geschwindigkeit: Ultraschnell (≤10 ms), schnellste gemeinsame Klasse
  • SchutzIGBT, MOSFET, Diode, Thyristor
  • Reichweite: Nur Kurzschluss (Teilbereich)
  • Aktuell10 A–3000 A, 500 V–1500 V DC
  • VerwendenElektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, Solarenergie, Wechselrichter, Konverter
  • I²t: Extrem niedrig (entscheidend für Halbleiter)
 

5. gPV-Sicherung (Photovoltaik, Vollbereichs-Gleichstrom)

 
  • KlassegPV (Photovoltaik, Gleichstrom-Vollbereich)
  • Geschwindigkeit: Schnelle Gleichstromversorgung
  • Schutz: Solar-PV-Module, Kombinationsboxen
  • ReichweiteÜberlastung + Kurzschluss (Gleichstrom)
  • Aktuell: 1A–630A, 1000V/1500V DC
  • VerwendenSolarmodule, PV-Wechselrichter, DC-Kombinationsboxen
  • I²tNiedrige, Gleichstrom-Lichtbogenlöschung
 

6. gBat-Sicherung (Batteriespeicher, (Vollbereichs-Gleichstrom)

 
  • KlassegBat (Akku, ESS-Vollbereich)
  • GeschwindigkeitSchnell, optimiert für Gleichstrombetrieb mit Batterie
  • SchutzBatteriepacks, BMS, ESS-Systeme
  • ReichweiteÜberlastung + Kurzschluss (Gleichstrom)
  • Aktuell10 A–3000 A, 500 V–1500 V DC
  • VerwendenEnergiespeicher (BESS), Elektrofahrzeug-Batteriepacks
  • I²t: Sehr niedrig, verhindert thermisches Durchgehen
 

Schnellvergleichstabelle

 
  • gG: Allgemeiner Wechselstrom, langsam, Leitungen/Motoren, hoher I²t
  • gRHalbleiter AC/DC, schnell, doppelter Schutz
  • Bin: Motor Wechselstrom, Zeitverzögerung, nur Kurzschluss
  • aRHalbleiter-Gleichstrom, ultraschnell, IGBT, niedrigster I²t
  • gPVSolar DC, schnell, PV-Module, 1500V DC
  • gBat: Batterie/ESS DC, schnell, verhindert thermisches Durchgehen
 

Häufig gestellte Fragen 

 Worin besteht der Unterschied zwischen aR und gR?

 
aR ist ultraschnell, nur Kurzschluss für Halbleiter; gR ist schnell, volle Reichweite (Überlastung + Kurzschluss) für Halbleiter + Kabel.
 

 Kann gG aAR ersetzen?

 
NEIN. gG hat einen hohen I²t-Wert und eine niedrige Geschwindigkeit; es wird IGBTs durchbrennen.
 

 Wozu dient die gBat-Sicherung?

 
gBat ist für Batteriespeicher (BESS), verhindert thermisches Durchgehen in Gleichstrom-Akkus.

 gPV vs gBat?

 
 gPV = Solar-PV-Gleichstrom; gBat = Batterie ESS DC (höherer Strom, Schutz vor thermischem Durchgehen).